长江存储申请半导体器件及其制备方法等专利，公开一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统”的专利，公开号 CN 120614826 A，申请日期为 2024 年 03 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。该半导体器件包括：半导体层；堆叠结构，沿第一方向位于半导体层的一侧；沟道结构，沿第一方向贯穿堆叠结构；以及顶部选择栅极切线，沿第一方向穿过部分堆叠结构和部分沟道结构并沿第二方向延伸，顶部选择栅极切线包括多个沿第一方向依次连接的切线部，切线部包括沿第一方向相对设置的第一端和第二端，第一端相对第二端远离半导体层；其中，相邻两个切线部中，远离半导体层的切线部的第二端沿第三方向的尺寸大于靠近半导体层的切线部的第一端沿第三方向的尺寸，第一方向、第二方向和第三方向相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯