创芯集成申请栅极结构形成方法专利，平衡不同区域多晶硅刻蚀速率

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“栅极结构形成方法”的专利，公开号CN 120614860 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明实施例提供了一种栅极结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含第一区域和第二区域；在所述半导体衬底上形成多晶硅层；在氧气、六氟化硫、四氟化碳的混合气体气氛下，对所述多晶硅层进行刻蚀以得到栅极结构，以及在刻蚀过程中得到气态的中间产物氟氧化硅；其中，所述第一区域的栅极结构的密度大于所述第二区域的栅极结构的密度。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可7个。

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来源：市场资讯