意法半导体申请具有边缘端接区域的半导体电子器件及其制造工艺专利，可实现相关半导体电子设备器件及其制造工艺

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有边缘端接区域的半导体电子器件及其制造工艺”的专利，公开号CN 120614850 A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本公开涉及具有边缘端接区域的半导体电子设备器件及其制造工艺。一种半导体电子器件具有半导体本体，该半导体本体具有第一导电类型、前表面和沿第一方向与前表面相距一定距离的后表面。半导体本体还具有横向边缘。该器件具有有源区，该有源区在使用中容纳该器件的导电沟道；以及边缘端接区域，该边缘端接区域沿横向于第一方向的第二方向在有源区与半导体本体的横向边缘之间围绕有源区。边缘端接区域具有不同于第一导电类型的第二导电类型的多个掺杂部分，并且这些掺杂部分沿第一方向或者沿第一方向和沿第二方向彼此相距一定距离地被布置在半导体本体中。