鑫维半导体申请双向TVS二极管芯片专利，降低双向TVS二极管芯片的钳位电压
国家知识产权局信息显示，上海鑫维半导体有限公司申请一项名为“双向TVS二极管芯片”的专利，公开号CN 120614838 A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双向TVS二极管芯片，所述双向TVS二极管芯片包括P型衬底，P型衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面上分别扩散形成有第一N型扩散区和第二N型扩散区，当施加于双向TVS二极管芯片两端的电压达到双向TVS二极管芯片的击穿电压时，第一N型扩散区或第二N型扩散区中的电子进入P型衬底中，进而对P型衬底进行电导调制。本发明使用P型衬底制备双向TVS二极管芯片，当施加于双向TVS二极管芯片两端的电压达到双向TVS二极管芯片的击穿电压时，能够对P型衬底进行电导调制，降低双向TVS二极管芯片的钳位电压，提升双向TVS二极管芯片的浪涌承受能力。
天眼查资料显示，上海鑫维半导体有限公司，成立于2009年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海鑫维半导体有限公司专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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