中德电子与内存材料研讨会将于9月5-7日在西安交大举办

移动电子设备，人工智能，大数据，云计算和许多新兴事物正在迅速改变我们的社会和生活，但海量数据的产生与传输也对数据的存储与处理带来了巨大压力。由于现有的电子设备与计算构架已经接近其性能极限，研发新式计算设备势在必行。新兴的非易失性存储器与神经元计算设备被视为应对数据危机的重要途径。前者打破数据存储与内存之间的界限，极大简化计算设备的存储体系，而后者将从根本上对现行计算体系进行革新，突破传统冯诺伊曼体系从而实现数据存储与处理的统一。

会议日程

2018年9月4号

Time

Session

14:00-20:00

Registration

2018年9月5号

08:30-09:00

Opening remark

09:00-10:00

Neuromorphic Computing

10:30-12:00

Spintronics

14:00-15:30

Phase-Change Materials I

16:00-17:30

Materials by Design

2018年9月6号

08:30-10:00

Resistive Switching Phenomenon I

10:30-12:00

Ferroelectrics and Thermoelectrics

14:00-15:30

2D Materials

16:00-17:30

Phase-Change Materials II

2018年9月7号

08:30-10:00

Phase-Change Materials III

10:30-12:00

Resistive Switching Phenomenon II

14:00-16:00

Phase-Change Materials IV

16:00-16:30

Closing Remark

编辑/段霈

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