混合CMOS芯片堆叠层数大幅提升
【混合CMOS芯片堆叠层数大幅提升】沙财联社10月21日电，特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录，成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未超过两层，这一突破标志着芯片集成密度与能效迈上新台阶，有助电子设备的小型化和性能提升。
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