ASML 推出计算光刻技术：掌握纳米级精度，赋能下一代芯片制造

全球领先的半导体制造设备供应商ASML在10月26日发布了一项革命性的“计算光刻”（Computational Lithography）技术，旨在解决日益严峻的纳米级芯片制造挑战，确保芯片图案完美再现，推动半导体行业持续创新。

芯片，常被喻为微型摩天大楼，其电路通常包含数十亿个晶体管，并横跨数百层。在如此微小的尺度下，每一层结构都必须完美连接，才能确保芯片的正常运作。然而，在纳米级制造过程中，物理和化学效应会导致图案变形，使得精确光刻变得愈发困难和关键。

ASML的计算光刻技术正是为应对这一挑战而生。该技术的核心在于，通过深入理解影响芯片图案形成的所有过程，开发出先进的模型和算法，精确预测图案在晶圆上的呈现方式。这使得ASML能够对光刻系统进行精细调整，以生产出最佳图像。

计算光刻的三大核心优化功能包括：

光源优化（Optimize Source）： 通过精细调整照明模式，该工具能够产生更清晰的关键芯片特征图像，有效补偿光刻过程中可能出现的图案失真。

掩模优化（Optimize Mask）： ASML的掩模优化工具能够设计出预先校正光学效应的光掩模。这意味着光掩模上的图案会被故意“扭曲”，以抵消在曝光过程中可能产生的任何失真，从而确保最终在晶圆上打印出的图案与设计图纸完全一致。

波前优化（Optimize Wavefront）： 光线在通过光学系统时会产生热量并导致光学元件变形。波前优化工具能够进一步重塑光线，以补偿这些变形，确保图案准确无误地打印在晶圆上。

ASML表示，通过对光源、掩模和波前进行逐个图案、逐层、逐个芯片、逐片晶圆的优化，计算光刻技术以业界所需的产量、速度和稳健性，实现大规模生产。这意味着随着芯片特征尺寸的不断缩小，ASML能够持续帮助客户克服挑战，确保每一颗芯片的每一微小细节都精准无误。

“计算光刻不仅仅是渐进式的改进，它是一场范式变革，” ASML先进光刻解决方案负责人表示“通过将深厚的物理学理解与尖端算法相结合，我们使客户能够突破微缩的极限，提供未来技术所需的性能、产量和可靠性。我们致力于与您携手，共同推动技术进步。”

这项技术的推出，再次彰显了ASML在半导体光刻领域的领导地位和对持续创新的承诺，为半导体产业的未来发展奠定了坚实基础。