报告原文——利用神经网络实现最优化的掩模版

编者按：随着半导体制造技术节点接近并超过7nm / 5nm，在DUV和EUV中为实现更高的分辨率，分辨率增强技术（RET）已经变得至关重要。在传统OPC中展现了优势的反演光刻技术（ILT）即是其中之一。利用S-Litho的ILT高精确度模型，实现了最优质的掩模版。妨碍ILT用于大规模生产的一大障碍是其运行时间。到目前为止，ILT主要针对代工厂用户的坏点修复以及存储器用户的单元级应用。通过Proteus ML平台，Yongdong Wang及其团队可以在保持掩模版相同优化程度的情况下，显著减少ILT运行时间。

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