Attopsemi I-fuseTM OTP采用格芯的22FDX工艺技术，通过250℃/1000小时的晶圆级老化测试

Attopsemi的I-fuse™技术具有尺寸小巧、高可靠性、低电压/电流编程、功率低和温度范围广的特性，藉由格芯22nm FDX® 的支持与合作实现汽车和物联网应用。

OTP IP提供商Attopsemi Technology宣布，该公司的256Kb OTP（一次性可编程）IP通过了250°C、1,000小时的晶圆级老化测试。在规格范围内对I-fuse™编程时，数以百万计的I-fuses™经过多种压力条件测试均毫无问题。 除此以外，承受压力测试后的I-fuse™阻抗只出现细微变化。

「除了尺寸小、编程电压/电流低这些先进特性以外，我们还向世界展示I-fuse™在经受250°C、1000小时的测试之后，仍然能够保持极高的可靠性。」Attopsemi董事长Shine Chung表示。「我非常感谢能够藉由格芯出色的CMOS工艺来展示我们I-fuse™的优异性能。」Shine补充说道。

「对于格芯在我们开发基于22FDX®的专业I-fuse™ OTP技术期间提供的所有支持和帮助，我们表示诚挚的感谢。」Shine Chung表示。「经过多年的不懈努力，以及和全球晶圆厂及客户的紧密协作，我们的I-fuse™技术最终在高温条件得到验证。我们已经证实，I-fuse™在采用小尺寸和较低编程电流的情况下，也能保持高可靠性。希望我们出色的OTP IP能够为所有半导体社区带来利益优势。」

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