小兵逛2018存储于数据峰会（二）

华中科技大学博士，副教授，吴非

3D闪存比较，FloatingGate和Charge Trap的优缺比较。最大的不同是存储电子的介质，FG存储介质是导体，电子容易泄露。CT存储介质是绝缘体，电子容易注射进去但不容易出来。从图中看到Charge Trap的endurance高，说明PE cycle比FG大，原因是CT需要比较低的编程电压，因此减少了Tunnel Oxides隧道氧化层的压力，这点可以理解。但是为什么dataretention性能差呢？教授不是说电子不容出来吗？

带着疑问去查了下资料，结果疑问反倒加深了。Floating gate好像是水，电子可以在里面自由流动。Charge Trap好像是奶酪，电子能捕获不流动。既然不动，那么数据保持时间应该更长才对啊，难道奶酪化了不成？好吧，等找到答案在来这里补充吧。

下面介绍了CT结构编程和擦除特性，随着PE升高，擦除的latency在增大，但是program的latency在减小。PE增加的同时program反倒快了，这个很有意思，slide的意思是存在反向电压使电子流进更容易，流出更难，才会造成program快，erase慢的现象。

另外提一下隧穿效应，举个例子：

如果你要穿过一道墙要怎么办呢？首先肯定是要走门，但是没有门的话怎么办呢？要像浩克一样把墙穿个洞吗？

No way，其实你也可以像下面这样。

什么？你一定认为我是insane，这完全不可能啊。在宏观世界中，确实是不可能。但是在量子世界里面，电子就是这么穿过隧道氧化层的。神奇吧，上学时候没好好念书吧(￣_,￣ )

读性能在整个周期中没有变化。

还有一些内容实在水平有限听不懂了 ，这堂课只能先总结到这里了……