直逼全球前三！长江存储季度收入突破200亿，全球份额超10%，中国的存储时代来了？

过去一周全球存储芯片的爆发再次不期而遇，国内厂商同样不遑多让。根据产业界最新消息：长江存储今年一季度收入已突破200亿元，较去年同期实现翻倍增长；其NAND闪存芯片产量已超过全球市场的10%，直逼全球前三。国产存储芯片产业迎来了高光时刻。

在市场需求和产能爆发的双重作用之下，长江存储2026年预计营收或将突破1000亿人民币，产能情况或将更为炸裂。

根据4月初韩国媒体爆出的消息，长江存储位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂），预计将于下半年开始量产高堆叠层数NAND Flash。

知情人士透露称，三期项目正在进行关键设备的最后安装，一期和二期产线已接近饱和状态。目前长江存储一期产线月产能达10万片晶圆，二期产线月产约6万片，年产量从2024年的129万片增长至2025年的177万片，预计今年将接近200万片。一旦三期项目全面投产，长江存储的NAND Flash产量预计将超越SK海力士（约190万片）和美光，跃居全球第三，仅次于铠侠（482万片）和三星电子（468万片）。

相比而言，国际存储巨头在产能扩张上就显得相对保守了。根据集邦咨询最新数据，预计2026年DRAM存储芯片行业资本支出增速仅为14%，远低于历史扩张周期30%—50%的水平。

这实际上反映两个问题，其一，由于国产存储芯片厂商处于“追赶者”的角色，在产能扩张上更为激进，情有可原；其二，在于国际厂商在有意控制产能，这既有利于自身利润的持续性，同时也在试图摆脱长期以来存储芯片的“周期诅咒”。

产能没问题了，那市场需求是否依然属于“超级周期”之内。根据TrendForce最新预计2026年第二季度一般型DRAM合约价环比上涨58–63%，NAND Flash全产品线合约价季增70–75%。

而根据全球半导体观察最新的DRAM价格预测或许更能说明，全球存储芯片需求端仍然处于历史高位，并未有任何萎缩的迹象，当然相比过去季度价格疯涨而言，接下来全球存储器的价格涨幅将更为平稳。

因此，无论从产能端或是需求端来看，中国存储芯片产业的历史性机遇近在眼前。NAND闪存来说，如上所述长江存储的产能已经拉满，即将跻身于全球前三，同时长江存储独创的“晶栈Xtacking”架构使存储密度提升约25%、生产周期缩短20%；甚至在2025年2月，长江存储开始向海外巨头反向授权专利。这些都标志着，中国在NAND闪存领域的技术话语权已今非昔比。

与此同时，DRAM领域的长鑫存储也在快速追赶。2025年其DRAM出货量增长超50%，全球市占率预计突破5%。在DRAM这一长期被三星、SK海力士、美光垄断的领域，中国力量正在逐步站稳脚跟。

而且，长鑫存储在最新的LPDDR6产品上，其设计规格速率达12.8Gbps，运行基础速率10667Mbps，采用16Gb颗粒，关键性能参数已达到国际领先水平。这标志着中国厂商首次在高端DRAM内存领域与国际巨头站在同一起跑线。

也就是说，在全球存储器的两大领域——NAND闪存和DRAM内存，中国在产能和技术上都达到了全球主流水平了。

这也带动了相关国产产业链的高速发展。根据产业最新消息，2025年下半年，长江存储首条全国产设备生产线投入试产；三期工厂更是将实现100%国产设备作为目标。目前国产设备占比已突破50%，远超行业平均水平。

因此，综合以上信息，此次全球存储芯片的超级周期或许与以往都将不同，也都将更长，更为宏大。而身处超级周期中的中国存储产业也将迎来前所未有的历史性机遇——不仅将打破国际巨头的垄断时代，或许在未来的5-10年之内将开创属于中国的“存储时代”，如同过去的家电产业、电子产业的故事那般！