派恩杰发布国内首款碳化硅MOSFET

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近日，派恩杰半导体公司发布国内第一款第三代碳化硅MOSFET，成为国内自主研发设计碳化硅先锋团队。

国内首款6寸第三代碳化硅MOSFET

派恩杰团队经过4个月紧张的设计研发，在8月底正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级6寸1200V 80mΩ 第三代碳化硅MOSFET。该产品各项性能达到国际领先水平，自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。

本产品将用于充电桩，车载充电机，UPS，太阳能及风能并网，高铁，智能电网等，以高性价比、高质量及高技术优势填补国内碳化硅三极管空白市场。主要包括第五代(5G)无线网络协议、无人驾驶和自动汽车、交通电气化、增强现实和虚拟现实(AR/VR)。这些应用正在推动3D传感的应用，提高功率模块效率和更高频率的通信应用。所有这些新发展背后的关键器件都是由第三代碳化硅半导体制造而成。

5G电信基站将带动碳化硅电子元器件市场爆发

随着更多电信基站升级的需求增加和小型基站不断的安装启用，Yole 预计射频功率电子市场在未来几年会强劲增长——更多详情，可参考Yole发布的《RF功率市场和技术-2017版》和《5G对射频前端产业的影响》。

5G和交通电气化的核心是SiC和GaN功率器件

随着十年来碳化硅MOS技术的发展，已经经过了三代的技术更迭，最新为三代技术。历代技术的对比指标如下：

第一代碳化硅MOS 原胞（pitch）尺寸在8~10um，比导通电阻>6mΩ·cm²。

第二代碳化硅MOS 原胞（pitch）尺寸在6~8um，比导通电阻~4.5mΩ·cm²。

第三代碳化硅MOS 原胞（pitch）尺寸在3.2~6um，比导通电阻

派恩杰的比导通电阻能达到2.8mΩ，与国际领先水平比肩。

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派恩杰半导体将帮助填补国内第三代半导体空白市场

以SiC碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件，已经广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域，并被列入《国家中长期科学和技术发展规划纲要》，在国民经济的发展中占有重要地位。

华创证券认为，“得碳化硅者得天下”。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后，将打破国外垄断，推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。

此前，不少国际公司都在碳化硅领域进行投资。例如，英飞凌1.39亿美元收购了初创企业Siltectra，进一步进军碳化硅市场，另外，X-Fab、三菱、意法半导体等企业也宣布将开发更多的碳化硅功率器件。

但从差距上看，我国在碳化硅领域还没有形成完整的产业，国内市场上大部分碳化硅功率器件依赖进口，形成国际大厂垄断局面。

在碳化硅材料方面，国内仅有少数几家从事碳化硅衬底材料和外延材料的研发工作。而在碳化硅功率器件方面，虽然清华大学、中国科学院等都有此类器件的课题研究，但主要是理论研究及实验室的研究成果。不过，国内产业正在努力赶超外国碳化硅产业。在产业链方面包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节近期也取得了新的进展。派恩杰团队已经成为国内半导体设计团队先驱者。