技术再次突破，离目标不远了

过去，中国在许多领域的核心技术一直被西方"封锁"。但是现在，经过多年的不懈努力，中国已经克服了许多方面的困难。例如，我们所熟悉的光刻机就是一个典型的例子。

众所周知，光刻机是制造集成电路的核心设备。换句话说，每一个芯片在诞生之初都是由光刻机锻造而成，所以光刻机的精度直接决定了芯片性能的上限。然而，芯片在中国的发展一直很缓慢，因为荷兰公司阿斯麦(ASML)垄断了高精度光刻机，而且曾被禁止在中国销售。

因此，中国研究人员决定挑战这种"卡脖子"装置。经过长时间的克服困难，他们终于得到了一些东西。最近，有报道称他们找到了另一种方法来制造9纳米的光刻原型。你知道,去年11月,我们通过了验收的"超级分辨率光刻设备开发",只有10纳米的分辨率,现在我们已经达到9纳米级别,相信在未来7纳米以下技术节点目标会越来越近,到时候别人再想卡我们脖子难了。

值得一提的是，中国研究者开发的9纳米光刻实验样机是在没有任何参考技术的情况下，以一种全新的方式开发的。光刻技术不同于主流的光刻机。

例如，目前主流的光刻机通过不断降低光刻波长来作用于光致抗蚀剂上，但这次采用的是远场光学方法，突破了光致抗蚀剂使用两束激光衍射的极限，而光刻的最小宽度为9纳米。因此，无论从哪个角度看，这都是一次重大的创新。