Y5T307 半导体激光器欧姆接触，以及欧姆接触与肖特基接触的区别

光模块中的激光器，电泵浦半导体激光器，

二极管，是一个PN结，

半导体激光器，是p型半导体和n型半导体之间插入有源层，形成一个PIN型结构，有时候咱们把半导体激光器，叫做激光二极管

因为光模块中的激光器，通常用电泵浦，这就需要有正负电极

我今天看书，希望解决的疑问有两个，

第一个疑问：金属和半导体接触，用于激光器的这种接触，与肖特基二极管的那种接触有什么不同，（Y2T151 肖特基二极管）

得到的答案：

用于激光的金属/半导体接触，希望电流顺利通过

用于肖特基二极管的金属/半导体接触，希望有更强烈的PN结效果，一个方向能通过，另一个方向能截止。

所以，金属和半导体之间的接触面要做特别的设计。（引出新的疑问，金属和半导体之间发生了什么？）

第二个疑问：为什么激光器正负电极用的金属材料不一样？，导致他们需要不同的金属镀膜工艺。

得到的答案是，金属和P型半导体的接触，与金属与N型半导体接触，二者的势垒不同。

导体、半导体、半绝缘体、绝缘体的区别，主要是他们的电阻率不同

金属，是导体，里边有可以自由流动的电子，俗称自由电子，它们在电场的作用下，能形成很好的电流，电流越通畅的，电阻率越低

电子，带有负电荷

绝缘体，是轻易形不成电流的物体。

半导体，是能形成电流，只是这个电流形成的不太通顺，电阻率有点高

N型半导体，是有一些自由电子，有了外加电场就能让电荷移动。

P型半导体，是有一些空穴，有了外加电场也可以让电子在空穴方向上移动，空穴不断的交换位置，看起来就像空穴在移动

金属：里边都是自由电子

N型半导体：里边有一些自由电子，一丁点的空穴

P型半导体：里边有一些空穴，和一丁点的自由电子

先说金属和N型半导体，没接触前，各是各的

接触后，

对电子来说，有浓度差，自由电子们要从高浓度到低浓度，这是扩散

对空穴来说，也有浓度差

在金属和N型半导体之间，就形成一个势垒，对肖特基二极管来说，希望势垒越大越好，而对于咱们只是用来做电极的半导体激光器来说，这个势垒就越小越好。不要把电压浪费在这个界面上

要降低界面电阻，电极用Au-Ge合金的话，再加一层Ni的金属层，可以提高与半导体的浸润性，提高结合力度，二者分子充分接触，就降低了接触电阻

再者，在N型半导体之上，做一层重掺杂的N++层，让里边的自由电子数量更多，也就是电子浓度差异很小，扩散的劲儿就不大，也降低了界面电阻

金属和N型半导体的欧姆接触，相对来说好做。

但和P型半导体，就难一些，因为P型半导体中空穴多

金属和P型半导体之间的正负电荷的浓度差都变大了，他们界面形成的势垒，和金属/N型半导体来说，更大

所以激光器的正电极和负电极相比，更难做，

负电极可以用点低成本工艺来做，正电极就得用比较复杂的工艺，力求降低接触电阻，还不引起可靠性问题。