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PCB、光模块、射频都炒过了,轮到5G这个领域

5G一直是科技股的大热点,但是炒得最多的基本都是元器件,比如PCB的沪电,光模块的光讯科技,射频的信维通信等等,如果往更基础的材料上研究的话,我们发现5G时代射频器件的高频、高功率对半导体衬底材料提出更高的要求,对应的GaAs衬底成为主流趋势,从自主可控的角度看,拥有直拉GaAs产能的公司将在此过程中受益,今天结合机构的深度报告发掘一下其中机会。

5G基站、终端对PA需求大增、GaAs衬底或迎来更大市场空间

5G高峰值速率以及宽频带等特点要求功率放大器等射频组件具有更高的功率表现和工作效率。也对制备PA器件的半导体材料的性能要求更为严格。

常见的半导体材料以物理性能区分可划分为三代,其中第一代半导体以Si、 Ge为代表,第二代半导体以GaAs、InP为代表,第三代半导体以GaN、SiC为代表。第二代半导体材料GaAs的禁带宽度约为Si的1.3倍,而第 三代半导体材料GaN的禁带宽度则是Si的3倍。因此,GaAs和GaN等第二代、第三 代半导体相对于Si更适合于制备高功率器件。

GaAs、GaN基器件将逐步挤占Si基器件的市场份额。根据Yole统计数据,2017年全球PA器件用半导体材料约40%采用Si-LDMOS,35%采用GaAs,而25%采用GaN。Yole预计到2025年,Si-LDMOS市场份额将萎缩至15%,而GaN市场份额将达50%,GaAs市场份额则基本稳定。

价值提升

5G宏基站的总量、单基站PA需求量以及5G终端单机射频前端用量相较4G时代将明显提升。根据QYR Electronics Research Center的预测,2018年至2023年全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16%持续高速增长,2023年接近313.1亿美元。单就功率放大器看,Yole预计2017-2023年全球功率放大器市场将由50亿美元增加至70亿美元,CAGR达7%左右。

GaAs市场格局:海外厂商垄断PA和GaAs衬底市场,国产替代空间广阔

全球功率放大器(PA)市场方面,根据Yole和ittbank数据,截止至2018年底, 全球功率放大器(PA)市场集中度较高,美国Skyworks、Qorvo和博通(Avago) 市场份额分别达43%、25%和25%,CR3达93%。

全球半绝缘GaAs单晶衬底市场方面,根据Semiconductor TODAY数据,目前全球半绝缘单晶GaAs衬底市场集中度CR3高达95%,日本的住友电气(Sumitomo Electric)、德国费里伯格(Freiberger Compound Materials)以及美国的AXT公司占据了95%以上的市场份额。

综上所述,5G时代将带来以GaAs为代表的第二、第三代半导体材料的需求倍增,但目前大规格、高品质半绝缘GaAs单晶衬底基本为海外厂商垄断,国产化替代空间广阔。关注前端射频器件和芯片国产化替代背景下、国内具备半绝缘GaAs单晶衬底生产技术相关上市公司的投资机会,以及相关上市公司云南锗业、有研新材等:

云南锗业(002428.SZ):根据公司2018年年报,公司是集锗矿开采、精深加 工和研发为一体的、锗产业链较为完整的高新技术企业。根据公司2018年年报,公司非锗半导体材料级产品主要为砷化镓单晶片,目前具备砷化镓单晶片产能80万片/ 年(以4吋计)。分业务看,根据其2018年年报,公司非锗半导体产品营收为1065万元,占其总营收的2.3%,2018年营收占比较低。

有研新材(600206.SH):根据公司2018年年报,公司主要从事微电子光电子用薄膜材料、超高纯金属及稀贵金属材料、高端稀土功能材料、红外光学及光纤材 料、生物医用材料等新材料的研发与制备。其中,在先进半导体材料和红外光学材料领域,拥有红外锗单晶、水平GaAs单晶、CVD硫化锌生产线。分业务看,根据其2018年年报,公司高纯/超高纯金属材料和稀土材料营收占比分别为52.1%、38.1%, 是公司主要产品领域,2018年GaAs单晶营收占比较低。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20190907A084WP00?refer=cp_1026
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