首页
学习
活动
专区
工具
TVP
发布
精选内容/技术社群/优惠产品,尽在小程序
立即前往

最新!三星成功开发3nm

三星电子(Samsung Electronics)已成功开发出业界首款3纳米GAA制程技术,副会长李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)访问了华城(Hwaseong)芯片厂的半导体研发中心,讨论相关的商业化议题。

BusinessKorea、韩国先驱报(Korea Herald)报导,三星电子新开发的3纳米GAA制程技术,有望协助公司达成“2030年半导体愿景”(即于2030年在系统半导体、存储器芯片领域成为业界领导者)。GAA是当前FinFET技术的升级版,可让芯片商进一步缩小微芯片体积。

李在熔2日访问了华城芯片厂,听取3纳米制程技术的研发简报,并跟装置解决方案(device solutions, DS)事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。

跟5纳米相较,采用3纳米GAA制程技术的芯片尺寸小了35%、电力消耗量降低50%,但运算效能却能拉高30%。三星计画在2022年量产3纳米芯片。

三星去(2019)年发布了133万亿韩元(约1118.5亿美元)的投资计划,目标是在2030年成为全球顶尖的系统单芯片(SoC)制造商。

  • 发表于:
  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20200106A0ABVO00?refer=cp_1026
  • 腾讯「腾讯云开发者社区」是腾讯内容开放平台帐号(企鹅号)传播渠道之一,根据《腾讯内容开放平台服务协议》转载发布内容。
  • 如有侵权,请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。

相关快讯

扫码

添加站长 进交流群

领取专属 10元无门槛券

私享最新 技术干货

扫码加入开发者社群
领券