黑科技——GaN

氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体。氮化镓无论是PK碳化硅（SiC）还是吊打砷化镓（GaAs），作为第三代半导体材料的GaN优势凸显。

由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；且电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

除了LED，氮化镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。中国积极布局第三代半导体材料

最近几年，我国正在大力发展集成电路产业，第三代半导体作为下一代电子产品的重要材料和元件，自然也受到了重点关注。

到目前为止，国内已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用，并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。