氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体。氮化镓无论是PK碳化硅(SiC)还是吊打砷化镓(GaAs),作为第三代半导体材料的GaN优势凸显。
由于禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利于提升器件整体的能效;且电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。
除了LED,氮化镓也被使用到了功率半导体与射频器件上。基于氮化镓的功率芯片正在市场站稳脚跟。中国积极布局第三代半导体材料
最近几年,我国正在大力发展集成电路产业,第三代半导体作为下一代电子产品的重要材料和元件,自然也受到了重点关注。
到目前为止,国内已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用,并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。
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