Y6T62 大马士革工艺详解

接着昨天聊，硅光集成，调制器、探测器需要金属电极与外界连接，相比较而言，可以用铝做金属互联

但是铝有两个缺点

铝的电阻率有点大，不适合高频应用

铝的金属迁移，会导致可靠性风险

常规的半导体集成电路已经慢慢的放弃的铝做金属互联层，而采用铜做互联，当然硅光集成依然可以采用较早期的集成电路方式，用铝，也很正常。

比如咱们的激光器封装，用的TOcan，也是借用的早期半导体封装技术。

够用就可以。

回到正题

铜做互联，解决了铝的两大缺点，铝的电阻率高，铜的电阻率低，适合高频，适合大功耗，适合小尺寸，等等

铝有电迁移的缺点，会形成尖刺，会随着电子风而产生金属空洞，铜就好的多。

但，铜的刻蚀，半导体刻蚀最好是形成挥发物，不要影响后续的工艺。但铜很难，反而氧化硅的刻蚀工艺比较成熟，容易形成图形。

所以，在选择铜做互联时，优选的工艺节点，是在氧化物上先做图形，内部再填充铜，也就是昨天说的大马士革镶嵌

继续，要先刻蚀氧化硅，通常选择氮化硅做停止层

氮化硅上，生长氧化硅层

刻蚀氧化硅，或者分布刻蚀台阶型

按说，这时候应该附着铜，但是铜和氧化硅的接触，有个缺点，会扩散，为了阻挡扩散，就需要一层阻挡材料。

好多理论，分析的是如何实现这些功能，真正分析工艺，讨论的是能不能把这些理论落地成产品

咱聊光模块的各个功能件的工艺，比如下头几个，都有有类似阻挡层的工艺流程

铜互联，氮化钽/钽是很适合做铜和氧化硅之间的阻挡材料，薄，附着力强，稳定性高。

阻挡层之后，用镀铜工艺，快，也方便，但是镀铜需要有一层铜做电镀的一个电极，这时候需要其他工艺在阻挡层上先长一个薄的籽晶层

最后，用Y6T36中的CMP，化学机械法做研磨，形成镶嵌的铜金属条。