研究：用于计算机、智能手机的现代RAM仍容易受Rowhammer攻击

站长之家(ChinaZ.com) 3月11日 消息:根据今天发表的一项新研究，尽管制造商在过去 6 年里采取了广泛的缓解措施，但现代RAM卡仍然容易受到Rowhammer攻击。

这些缓解措施统称为目标行刷新(Target Row Refresh， TRR)，这是是软件和硬件修复的组合。 2014 年Rowhammer攻击被披露之后，这些修复措施缓慢地添加到现代RAM卡的设计中。

在现代的RAM卡上，每次您的计算机处理内存中的数据时，实际的数据都保存在内存单元中，并且每个内存单元都被安排在卡的塑料底座上的表格状网格模式中。

虽然这种精心安排的设计帮助工程师们在RAM卡上塞入尽可能多的记忆单元，但它也使记忆单元之间的电干扰成为可能。这就是Rowhammer攻击的精髓所在。

自 2014 年以来，硬件行业一直试图解决Rowhammer难题，但每一步都被学术界证明是不可行的。每次供应商推出改进，研究人员要么找到一个旁路，要么找到一个新的、更快速的方法来发动Rowhammer攻击。（zdnet）