突破美韩技术封锁，创下三个全球第一！中国的存储芯片正式崛起

一直以来，存储器都被誉为现代工业的“粮食”，也是最大宗的集成电路产品，而我国是全球最大的电子信息产业基地，所以它同时还是我国进口金额最大的集成电路产品。近些年来，我国存储器产业也在发力，有一些公司已经取得了不错的成果。

今年4月，中国闪存厂商长江存储宣布成功研发128层QLC 3D NAND存储器产品（型号：X2-6070），这也是全球首款128层QLC闪存。此外，它的新品还创下了三个全球第一：单位密度业界最高；1.33Tb的单颗容量最高；1.6G/s的I/O速度最快。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking2.0时代的到来，长江存储有决心、有实力、有能力开创一个崭新的商业生态。”伴随着长江存储的崛起，未来无疑会搅动全球存储芯片的市场格局。

公开资料显示：长江存储成立于2016年，总部位于武汉，它的经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发、集成电路及相关产品的设计等业务。其前身是武汉新芯，当时湖北没有管理集成电路制造工厂的经验和技术，于是将它交给中芯国际管理。而中芯国际自身也处于艰难时期，无暇顾及武汉新芯的发展。而武汉新芯成立之初，就想进军DRAM，但恰巧遇到了DRAM价格低谷周期，于是不得不放弃DRAM的生产，转而开始为美国飞索半导体生产NAND Flash闪存。

好景不长，飞索半导体遭遇危机后，业绩一路下滑。武汉新芯的订单数量也随之急剧下降，不得不寻求合资，但没有成功。随着中国逐渐对半导体产业的重视，以及各路资金的进入，武汉新芯也迎来了新的转机，2016年宣布斥240亿美元巨资打造世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NAND FLASH和DRAM。紫光集团作为主要出资企业之一，共同在武汉新芯的基础上成立了长江存储公司。

而长江存储成立的这一年，也是国内存储器产业发展的元年，除了它之外，还有晋华集成和合肥长鑫等存储器公司也相继成立，国产存储器也开始踏上了奋起直追的路程。当时，存储芯片技术基本被韩国和美国垄断，而长江存储的技术实力远远不够。它将3D NAND Flash芯片作为主要目标，开始进入研发生产阶段。

历时两年后，长江存储打造出了32层3D NAND Flash芯片，它也由此成为全球第五家能够生产出32层3D NAND Flash芯片的企业。目前，长江存储累计申请国外专利超过2000项，并以每年1000项的专利申请的速度向前迈进。

有专业人士认为：集成电路产业作为信息技术产业的核心组成部分，虽然位于整个产业的底层，但却不容忽视。在被诸多国外厂商垄断的北京下，长江存储等芯片企业率先打破了国外对存储产业的垄断，这也标志着我国在存储领域的一大进步与发展。