需求在呼唤！化合物半导体风云再起

自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来，化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步，为化合物半导体的应用提供了坚实的基础。目前，随着ALD(原子层淀积)技术的逐渐成熟，化合物半导体HMET结构以及MOSFET结构的器件质量以及可靠性得到了极大的提升，进一步提高了化合物半导体材料在高频高压应用领域的市场占有率。

未来随着化合物半导体制造工艺的进一步提升，在逻辑应用方面取代传统硅材料，从而等效延续摩尔定律成为了化合物半导体更为长远的发展趋势。

作为化合物半导体最主要的应用市场，射频器件市场经历了2015年到2016年的缓慢发展，时至今日，随着5G基站更新换代以及设备小型化的巨大需求，根据全球知名研究机构集邦咨询旗下的拓墣产业研究院的数据，GaN 放大器市场需求规模将在 2023 年迎来顶峰，达 112.6 亿元。此外，随着通信行业对器件性能的要求逐渐提高，GaN、GaAs等化合物半导体器件的优势逐渐显现，传统硅工艺器件逐渐被取代。

目前，氮化镓、碳化硅等第三代半导体是半导体行业的一个重点投资方向。同时，国家大基金也把氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料列为了重点投资方向之一。近期，三安集成、闻泰科技等多家企业开始加紧布局和完善化合物半导体市场。