我国突破2nm芯片瓶颈，并成功掌握设计技术，但却被光刻机卡住

为了巩固美国半导体地位，美国对中国科技公司展开了围追堵截，以限制芯片出口的方式，来抑制华为等中国科技公司的发展。在美国的围堵下，我国的科技发展已来到了十分危急的时刻，想打破这种僵局，我们就必定得走上自主创新的道路才行。据国内媒体报道，日前中科院传来了好消息，已突破了2nm芯片的瓶颈，并成功掌握了设计2nm芯片的技术，只要机器到位，2nm芯片就能实现量产。

这个好消息的传来，给国内科技公司狠狠地出了一口气。要知道，现在还没有哪个国家掌握2nm芯片的技术，中科院这次可以说是走在了世界的最前端。不过值得一提的是，虽然我国已掌握2nm芯片的技术，但我们却不能生产这种芯片，因为我们缺少生产2nm芯片的光刻机。准确来说，世界上还没有研制出精度达到2nm的光刻机。

光刻机是制造芯片的必要设备，但现在最先进的光刻机，也才达到5nm的精度。其实，中国企业在芯片技术方面，并不比国外企业差，比如说华为就能够设计出高端的7nm芯片，甚至是5nm芯片。但由于缺少制造7nm芯片和5nm芯片的光刻机，华为至今都无法将其投入量产。

美国之所以会围堵中国科技公司，其实就是担心中企在芯片技术方面超越他们。此前，我国企业向荷兰的ASML公司提交了订单，准备采购该公司的EUV光刻机，这种光刻机就能进行5nm芯片的制造，是生产5nm芯片的必要设备。结果，就在中企与ASML公司即将进行交易的时候，美国却出面进行了干预，不让ASML公司将光刻机交付给我们。

最终，在美国的干预下，中企与ASML公司的EUV光刻机贸易，便被无限期延迟。而在搅黄了EUV光刻机的贸易后，美国又更进一步，在芯片出口上面展开了限制，不让使用了美国设备和技术的芯片制造商，将销售芯片给中国企业，想一步到位遏制中企的发展。现在为了打破被动局面，中国企业就在光刻机的研制上，下起了功夫。

通过不懈的努力，现在我国已制造出了14nm级别的光刻机，虽然离先进的光刻机还有很长一段距离，但只要我们能继续保持这种发展势头，那么我们终将会研制出5nm级别的光刻机，甚至是2nm级别的光刻机。