重磅！全球首款三维闪存芯片在国内问世！国家投入1700亿深入研发！

5G时代的来临，让全球向智能化时代跨近了一大步，而作为5G最重要最基础的芯片，却一直是国内的短板，随着华为等优秀国产企业对芯片大力研发，不断进步，和欧美国家拉近了距离，而一个好消息传来，更是让亿万国人沸腾！全球首款128层QLC三维闪存芯片在我国问世！随后国家继续加大投入，砸下1700亿深入研发！我国终于在芯片行业首次领跑全球！

据凤凰网6月21日报道，国家存储器基地项目的二期工程在武汉东湖高新区正式开工启动。据了解，该项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金四方共同投资进行建设，原计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。而此前，项目一期于2016年底开工建设，且进展非常顺利，32层、64层存储芯片产品目前已经实现稳定量产，并已经成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片。

6月20日，该项目二期工程正式开工启动，据负责人介绍，二期的整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元人民币！在昨天的开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国向全场介绍了项目的有关情况。他表示，国家存储器基地项目自一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑，最后到领跑的跨越。

这是中国创造的一个跨越式进步！中国人终于在芯片行业中，抬起了头，证明了中国在高新技术行业仍然具有强大的竞争力和创新能力！对于这一次的新的进步，大家是怎么看的，欢迎在评论区下方留言讨论！