中国紫光传年内兴建DRAM新厂、2022年量产，进一步提高自给率！

中国半导体大厂紫光集团传出将在今年打造DRAM新工厂、力拼2022年量产，以增加中国境内自给的半导体种类，提高自给率、降低对海外的依赖。

紫光目前已量产NAND型快闪记忆体（Flash Memory），旗下长江存储（YMTC）今年4月宣布，成功研发出堆叠128层的3D NAND Flash产品。

日经新闻27日报道，据多位关系人士指出，紫光集团将在今年内著手兴建DRAM新工厂，目标在2022年开始量产。中美对立情势加剧下，紫光期望增加中国境内能够自给的半导体种类，减低对海外的依赖度。

据报道，紫光DRAM新厂将坐落于重庆市，原先计划2019年底动工，不过受新冠肺炎等因素影响延迟。目前因位于日本、从事DRAM设计业务的子公司正式营运，因此力拼今年内动工兴建，新厂产能规模等细节虽不明，不过据关系人士指出，紫光计划10年间对DRAM事业投资8000亿人民币。

不过紫光DRAM新厂之后能否顺利量产，仍将受中美关系动向左右，主因生产具竞争力的DRAM产品就需要用到美国技术的生产设备，而美国禁止供应使用美国先进技术的产品给部分中国企业，因此若之后中美对立进一步加剧，恐将对紫光造成影响。

中国2015年发表高科技产业振兴对策“中国制造2025”，将半导体定为重点产线，目标 2020 年将半导体自给率从当前的未满 20% 提高至 40%，2025 年进一步提高至 70%。

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