重大突破！中国可能找到5nm芯片制造新方法，或绕开AMSL光刻机

美国对华为等中国科技企业的打击，使我们搞清楚技术落后就会被打，尽管科学无国界，可是科技技术是有国界的。

纵使我国如今现已变得越来越强大，可是和美国科技发展相互间还有一定的距离，一部分制造行业也要深受美国的施压。

最好是的例子便是华为公司，尽管近几年来华为公司在通信行业不断探索，通讯设备遍及全世界一百多个国家，尤其是如今全新的5G工艺，华为公司现已走在了全球前端。

可是在半导体芯片代工生产层面还是要深受美国的封禁，而这最主要是由于光刻机没有。

如今绝大多数半导体芯片生产商全是应用的荷兰ASML光刻机，而荷兰之所以一直没有卖给我们光刻机，便是不要想我们国家提升在集成ic的探究，其身后主要是由美国的身影，一直以来美国都钟爱对咱们国家采取科技发展封禁，就怕在我国在尖端科技超出她们。

但是就在大伙儿担心华为芯片供货问题和中国集成ic未来发展的情况下，中科院传出喜讯。

中国权威部门中科院苏州研究所现已科研开发成功了新式5nm高精密的激光光刻技术，意味着在我国的5nm光刻技术获得了重大突破。

现阶段中国半导体产业还没法解决对ASML光刻机的依赖，假如在此项工艺上边获得提升，将有希望摆脱ASML的封禁，降低对ASML的依靠，完成在我国半导体芯片层面的自主研发。

据了解，承担科研开发此项纳米技术激光器光刻技术的张子旸团队现已开发设计了一种新式的三层堆叠薄膜框架，再根据双激光交错，对能量密度以及光波长采取精准操控，在线宽上面可以将宽度精准到五纳米。

而现阶段ASML的光刻工艺是根据EUV极紫外线刻，它是和ASML彻底不同的一种新的技术方案。

但是特别注意的是，此项工艺现阶段只是是在试验环节获得了一个提升 ，从试验到真正意义上的运用，同时完成批量生产并不是一个容易的环节。

可是试验现已成功了，历经不断探寻完成批量生产也不是沒有可能。此外，在我国还可以运用该项工艺作为让美国开放光刻机的筹码，如此这般就可以大大的缓解华为公司所遭遇的工作压力。