ASML估计要被迫放行EUV光刻机给中芯国际了！

ASML估计要被迫放行EUV光刻机给中芯国际了！近日，大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000，在苏大维格科技集团下线，并投入工业运行。iGrapher3000主要用于大基板上的微纳结构形貌的3D光刻，是新颖材料、先进光电子器件的设计、研发和制造的全新平台。

从集成电路图形的平面光刻，迈向光电子的“微结构形貌”的3D光刻，iGrapher3000为新颖材料和功能光电子器件提供了先进手段，堪称全球首台！

苏大维格浦东林博士带领科研人员，十多年来一直开展3D光刻技术、纳米光刻硬软件、数据处理算法和精密控制技术研发。经多轮迭代，攻克了3D光刻重大瓶颈，研制成功以iGrapher3000为代表的系列紫外3D直写光刻装备并在工业界应用。

iGrapher3000率先在110吋幅面玻璃基板上实现连续面型微结构大面积平板器件，深度范围50nm~20微米；率先建立海量数据处理能力并转化成所设计的微纳结构形貌，涉及单文件数据量达600Tb；率先建立支持110吋光刻胶板厚胶制程（2微米~25微米），用于后继印版工业化生产。

作为对比，用于芯片极紫外投影光刻机（EUV），追求极细线宽（已达5nm），难度在于极端的精度控制和高产率（极紫外光源、运动平台和套刻精度），芯片的投影光刻，用光掩模图形缩微复制，不涉及海量数据处理等问题；用于光掩模的直写光刻设备（LDW），将规则电路图形转化为光掩模，形成显示TFT光掩模。与集成电路的薄胶光刻工艺不同，用于微纳结构形貌的3D光刻，追求形貌与相对排列精度（根据用途不同），难度在于海量数据处理与传输（数百Tb）、大面积的结构功能设计与先进算法、3D光刻与3D邻近效应补偿等保真度工艺等，深度范围：50nm~20微米，精度范围：1nm~100nm。

可见，3D光刻机在功能与用途上，与以往2D光刻机有明显的不同。

如果50纳米光刻技术产业化，将超过国家队选手——上海光机所+长春光机所，堪称中国第一！目前，来自中科院的这两家公司目前已经能提供用于生产280纳米、110纳米和90纳米工艺芯片的前道光刻机。

2020年1月10日，在国家科技奖励大会上，苏大维格承担的“面向柔性光电子的微纳制造关键技术与应用”成果，荣获国家科技进步奖二等奖。