厉害！中国突破3nm碳基芯片制作工艺，或将打破光刻机限制

我们的芯片制造的发展制造上是更让大家觉得有所限制的，并且为了能够更好的一些成效也有着比较多的挑战，但是在技术领域拥有好的发展需要做出的努力也不仅仅只是这样。

在发展的早期我们就是比较晚的，这方面就非常的需要科技技术，所以整体的进展也更加的困难，在这样的发展过程当中我们一直选择的是和其他国家合作的模式，但是现在由于一些国家之间的关系开始紧张，所以这样的方式也开始行不通。

美国今年就对于芯片发展就有了一些禁令的颁布，之前和我们合作的很多企业都不敢再有所帮助，毕竟他们用的技术提供是美国的，所以在这样发展上也只能选择和我们断绝来了。

这样的消息不仅让华为受到了比较大的限制，同时在国内的一些新的发展领域也有了更多的一些研制热潮，但是虽然我们有一些发展比较好那些芯片研制公司，但想要有更好的一些技术提升也还是比较困难的。

在芯片发展方面最难以突破的就是光刻机技术，我们的光刻机目前只能制造一些14纳米的芯片，但是荷兰的asml公司却可以制造出了五纳米的芯片，甚至还有更高级别的能力出现，这样我们国家的发展其实就受到了比较大的阻碍。

但是据说我国在芯片上已经突破了3nm的制作工艺，这样的芯片的发展让我们有更多的一些可能性，由于是一种新型的材料出现，所以是可以不需要通过光刻机来进行更多的一些发展能力，这也将有可能打破光刻机的限制。

而在碳基芯片的发展上也并不是只光刻机才能有成效，我们的3纳米也是金属氧化膜厚度，这种发展能够让我们在这里与做出更多的突破，如果能够实现量产的话，中国的芯片也可以完全走出一条全新的道路。

这种不需要受制于光刻机的芯片让我们有了更多的一些发展可能性，关于3纳米现在也有关于材料方面的更多突破，我们也可以不用受制于光刻机，如果真的能够有所发展的话，也会是我们之后都一直关注的。

好了，今天就为大家介绍到这里，我们下一期再见！