美韩两国垄断95％DRAM市场，中国芯，已开始突围

华为高端芯片遭遇断供

自步入2020年以来，中美之间的博弈加剧，关系一度紧张。美国不断给中国使绊子，利用疫情抹黑中国，又利用其国家力量打压中国企业，拉帮结派地反华，其目的就是为了遏制中国发展。

据韩国媒体日前报道，由于美国对华为的限制禁令力度持续升级，三星和SK海力士已停止向华为供应DRAM存储芯片，消息一出，华为公司该如何解决之后的芯片问题，立刻引起各界关注。

美韩垄断DRAM市场

DRAM存储芯片是当今信息社会不可缺少的，我们所用的电子产品都需要用到它。DRAM的开发难度大，制造技术门槛较高，涉及工序多且复杂，相关参数都是几纳米级。韩国和美国相关企业也是经历多年研发，大量时间、人力物力的投入才有了今天的成果。虽然近年来中国一直努力发展半导体行业，也取得了不少突破，但是相较于美国韩国，仍有着一定差距。

目前全球的DRAM市场已被美韩垄断，据统计全球95%的DRAM供应都由美国、韩国企业所掌控。据悉，2019年我国进口的集成电路产品总值3040亿美元，其中DRAM芯片就占据进口量的三分之一，可见中国企业对DRAM芯片的进口依赖程度也是极高的。美国正是抓住了这点，利用政治手段恶意打压华为。对于美国的打击，华为早有预料。据了解，华为已在断供前储备大量了芯片，预计可支撑至2021年。

中国已在积极筹备突围

目前，中国在DRAM芯片领域已做好突围准备，如今国产芯片生产也具备一定能力。早在2019年合肥长鑫存储首次宣布生产出了第一代10nm工艺的芯片并用于商用，该产品填补了国产DRAM芯片的空白，还可以实现中国对中低端存储进口芯片的部分替代。

虽然中国芯片有一定突破，但是碍于技术经验的缺乏，产品工艺上还是与美韩有着较大差距。长鑫存储采用的是19纳米制程，而美韩企业早已采用14至16纳米制程。

现在，美韩两国已拥有的顶尖技术想再突破也要花费不少的时间，这给我国芯片研发，技术追赶提供了一些时间窗口。若我国企业能够在新技术研发上实现突破，也许可以“弯道超车”。当前，中国政府正在制定扶持政策以提高芯片国产化率（即2025年达到70%），此举将进一步促进国产DRAM行业的发展，有利DRAM芯片早日实现自主研发，打破美韩的垄断局面。