中芯国际第二代FinFET工艺有望与2020年底试产

媒体报道，第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。梁孟松披露，中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。2019年，14nm工艺首次贡献了1%的营收，约768.9万美元。如果N+1工艺能够尽快落地，对于中芯国际而言，无疑是强心剂。

不过，当下国际大环境对中芯国际不太友好，想必正是因此，《日经亚洲评论》报道，中芯国际和长江存储计划研发非美设备生产线。报道称，中芯国际计划今年年底之前准备建设不含美国设备的40nm芯片生产线，并计划在三年内在相同的基础上研发更先进的28nm制程产线。该报道还表示，长江存储也准备将国内设备替代率从30%提高到70%。

之后，长江存储回应称，没有设定国产设备比重目标。铁流认为，就实现设备国产化替代而言，是当下必须做的，但难度很大，比较合适的方式的循序渐进，急切地短期设定高额指标并不可取，而且容易受人诟病，引来“懂王”的关注，进而引火烧身。

何况，在半导体设备上，西方厂商占据垄断性地位，国内设备商只占据市场5%的份额，短期想要打造先进工艺全国产化生产线的难度非常高，这并非是一两家企业的问题，而是整个行业乃至工业基础上存在差距。这不是行政指导定几个指标就能实现的，必须十年如一日兢兢业业搞研发，才有希望循序渐进，一步一个脚印提升设备的国产化水平。就28nm工艺线而言，国外分析师认为，大陆没有能力建成非美生产线。

另外，购买到设备并非一劳永逸，正如大家的汽车在使用中需要保养，这些高端大气上档次的半导体设备，也是需要持续“保养”的，国外设备大厂都会有技术人员驻工厂提供技术支持，一旦国际局势风云突变，外商会撤走所有技术支持，晶圆厂会陷入非常尴尬的境地。

当下，国内企业最需要的是时间，低调做事，以十年为单位逐渐提升生产线的国产化水平。