历时3年攻克难题，打破美日韩垄断，造出中国最先进闪存芯片

长期以来，我国芯片市场依赖进口，特别是存储芯片的需求量尤为高。而在存储芯片之中，我国DRAM与FLASH需求量最高，也最受日韩企业的垄断。这就使得，存储芯片的定价权被美日韩企业掌握在手中，我国企业没有话语权。

这样的境况令人担忧，于是长鑫存储、长江存储等国产内存企业涌现，并逐步打破了美日韩的技术封锁。其中，中国最先进的闪存芯片——128层QLC 3D闪存便在今年4月份，自长江存储手中，成功问世。长江存储也因此被看做是国产存储芯片的领跑者。

更令人惊异的是，长江存储在2016年时才刚刚成立，其实现这一突破，也不过用了3年的时间。

目前，长江存储128层QLC 3D闪存在单位面积存储密度、I/O传输速度、单颗NAND闪存芯片容量上，均为我国第一，表现相当出众。为何长江存储能在短时间内取得如此亮眼的成绩？

首先，这与其得到国家队的支持，有着重要的关系

长江存储由清华紫光成立，并且，整合了武汉新芯集成电路10年的心血。在长江存储的背后，还有着集成电路基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业，以及省科投的资金支持。

于2016年开工的国家存储基地一期项目，便是由长江存储负责。有着如此强大的背景，长江存储的发展速度，自然不容小觑。

其次，长江存储成功赶上了闪存领域的重大变革

2015年起，闪存芯片从2D迈入了3D时代，并向着纵向堆积多层化方向前进。由此，给了长江存储一个切入的节点。2016年7月份，长江存储便成功完成了32层3D NAND闪存测试芯片的设计工作。

最后，独创的Xtacking技术，也是长江存储进展深度的重要原因

该技术能节省更多面积，并提高存储密度、I/O速度等，表现很是不错。而且，为了追上当前闪存芯片一流水平，长江存储还跳过了48层，直接着手64层的研发。

此后，长江存储更是再次跳过96层，直接到128层。虽然长江存储的这一行为颇为冒险，但结果证明，它并没有辜负大众的期待。

在我国存储芯片逐渐取得突破后，日韩企业的芯片价格，也终于有所松动。而且，在2020年末到2021年初，长江存储128层3D NAND闪存，计划实现量产，令人振奋。

我国闪存终于不必受制于人。