厉害了，中科院：5nm实验室技术实现飞跃

前脚中科院院士白春礼与华为创始人任正非友好会面，剑指高端光刻机自研困局，这后脚中科院就有研究所取得5nm技术突破和飞跃，虽距商用还有十万八千里，远水也解不了华为的5nm芯片之渴，但无可否认技术创新意义非凡。

与全球光刻机领先者ASML的技术路线EUV极紫外线光刻不同，中科院选择的是激光雕刻，同为高精度绣花工艺，激光专利的布局和研发，用在芯片制造，是另辟稀径，是有弯道超车实现自主化的可能。5nm技术的商用还需要全产业链的协同与投资，希望华为能投资中科院的5nm技术，早日量产。激光雕刻的5nm麒麟9000芯片，或许也不会太差。

本次的“飞跃”指的是，中科院苏州纳米所在超高精度激光光刻技术研究中获得巨大进展，团队开发了一种新型三层堆叠薄膜结构，可以实现5纳米的特征线宽。简单说就是为了实现纳米狭缝电极阵列结构的规模生产，实际上并非集成电路，所以压根就不是指芯片制造。

在原中科院的新闻稿件中并没有提及苏州所已经实现光刻机制造，而是说他们在光刻技术上有了突破。另外技术从突破到成熟到走出实验室到小规模应用最后到大规模商用，这是个极其漫长的过程，才刚刚开始而已。