英唐智控（300131.SZ）与中天弘宇、中宇天智就拟后续在芯片相关领域业务开展达成合作意向

格隆汇 11 月 27日丨英唐智控(300131.SZ)公布，公司(“甲方”)于2020年11月27日与中天弘宇集成电路有限责任公司(“中天弘宇”或“乙方”)、中宇天智集成电路(上海)有限公司(“中宇天智”或“丙方”)签署了《合作协议书》。双方就拟后续在芯片相关领域的业务开展达成合作意向，建立战略合作伙伴关系。

公司拥有丰富的市场资源与系统的销售网络,现正在逐步转型为半导体IDM企业，专注行业细分领域，模拟电路及模拟逻辑混合芯片的设计研发及制造。公司子公司日本英唐微技术有限公司拥有一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队，人数超过130多人，平均从业经验超过12年，在模拟电路设计领域具有深厚的技术积累。

传统NOR闪存拥有读取速度快、芯片内可执行代码等优势，但传统结构的NOR闪存无法突破90nm栅极长度的技术瓶颈，导致NOR闪存的记忆单元面积无法降低到10F2以下，使其芯片成本居高不下，其应用场景往往被DRAM+NAND的组合模式所替代，中天弘宇的研发团队在经过十多年的持续研究，完成了对传统NOR闪存机理和结构创新，其拥有自主知识产权的新型闪存创新技术、发明及专利成果，已被中国电子学会组办的专家委员会鉴定为：在不改变现有标准CMOS工艺的情况下突破闪存的缩微技术瓶颈，“在非易失存储领域属国际首创技术”。并且其拥有自主知识产权的独立式存储系列产品性能价格比优于市场上同类产品。

中宇天智在传统嵌入式闪存基础上，创新了工作机理和器件结构，拥有自主知识产权的嵌入式闪存IP，在全球嵌入式闪存尚未突破28nm的背景下，中宇天智的嵌入式闪存具备理论上可微缩到5nm的工艺制程的条件，并且性能价格比优于市场上同类IP。同属世界首创技术。

三方的合作将以乙方、丙方的新型闪存技术在电源管理芯片的实际应用为突破口，该应用已在全球领先的90nmBCD(BiCMOS/CMOS)工艺平台上得到了验证，验证结果突破了目前市场上电源管理芯片130-180nm的主流工艺制程水平，90nmBCD工艺在电源管理芯片的应用属于全球首创，拥有明显的能耗和成本优势，具有良好的产业化前景。根据赛迪顾问统计数据，2012-2018年，国内电源管理芯片市场规模从430.68亿元增长至681.53亿元，年复合增速达7.95%。根据前瞻产业研究院的统计和预测，全球电源管理芯片市场规模2018年为250亿美元，预计到2026年全球市场规模将达到565亿美元，2018-2026期间年复合增长率(CAGR)为10.69%，其中以中国大陆为主的亚太地区是未来最大增长区域市场。

甲、乙、丙的优势资源可以实现良好的结合互补，加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。因此三方基于良好的信任，从长远发展战略上的考虑，决定共同携手，在战略、资本及业务三个层面开展全面合作。三方均以优秀的企业理念与专业性，本着“互惠互利、稳定恒久、高效优质”的合作精神，结成深度的战略合作伙伴关系。