中科院：终于突破5nm光刻机关键技术，或将打破垄断局面

芯片行业是如今电子产品为主的主要产业，而在半导体行业上我国起步晚，所以这项结束主要还是由西方主为主导的，我们的芯片技术也落后了别人差不多30多年。所以用于制造芯片的光科技成为了我们的老问题，这项被誉为继原子弹后的又一科技桂冠确实相当难突破。

而且就算直到今天，依旧没任何一个国家能够独立的制作出光刻机，包括美国。这是全体人类的智慧结晶，所以在这种情况下，我国要单独的研发出光科技的难度有多大可想而知。这可是用我们14亿人的智慧去碰撞全球的智慧，我国目前独立的光刻机只能达到28nm工艺。

可就算这28nm的光刻机，作用也不可小觑，这意味着我国至少能不被压垮，而且它已经能实现大量的科技生产需求了，而且事情也并非毫无进展，就在近期，中科院宣布：终于突破5nm光刻机关键技术，或将打破垄断局面。

这是位于苏州的中科院研究所带来的好消息，他们已经成功地实现了5nm的激光雕刻技术，更重要的是这项技术完全是绕开了ASML光刻机技术的独立技术，也就不可能和他们产生任何的专利技术上的纠纷问题。

据了解，负责这项技术的张子旸团队他们才用了新型的三层薄膜叠加的方案，然后使用了双激光技术，他们对激光的波长等进行高精度的控制，这样就把它精确到了5nm。这与ASML公司的极紫外雕刻是完全不同的两个概念。

光刻机的设计真的比我们想象的更加困难，由于别人西方起步比我们早，很多设计过程中的专利问题很难绕开，所以就算你有了解决方案，也得绕开别人的专利问题去解决。而这个集全体人类智慧的机器上面有多少专利，可想而知。