不用光刻机照样做芯片？中国新技术高调亮相后，美国彻底坐不住了

近日，据媒体报道，国产光刻机取得了新进展，精度达14纳米的技术即将取得突破，有网友感叹：华为的救星终于来了？

如今人们使用的电子设备越来越小型化，这都依赖着芯片加工精度的提升，而高精度芯片的产出离不开先进光刻机的加工，只有用纳米级光的波长雕刻电路，芯片才能做得足够微小。

而世界上最好的光刻机由荷兰的ASML公司垄断，其加工精度为世界之最，全世界的芯片市场都指望着ASML公司的产能，这也使得光刻机成了制约一个国家高新技术发展的重要手段。

好消息是，中芯国际的N+1芯片工艺不断钻研，如今终于取得了新突破，正式在14nm级别的芯片代工领域站稳脚跟，良品率已经达到行业的标准，高达百分之95，超过了三星的产品。

但由于5nm和7nm级别的才技术是高端智能手机急需的精度级别，所以14nm级别的水平虽然已是很大进步，仍无法解决华为的燃眉之急。

不过既然硅基芯片光刻技术被垄断，从别的方向上寻找突破成为另一种可能，有网友怀疑，难道不用光刻机也能照样做芯片？然而中国高校最近的几项碳基半导体实验结果已经发表，这种中国的新技术高调亮相后，美国彻底坐不住了。

近日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队实现了碳基半导体材料提纯，纯度超过百分之99.9999，为将来实现碳基芯片打下了坚实的基础。

该团队实现了，能在1微米空间里放下100至200根碳纳米管，碳纳米管的直径为1.45纳米左右，这是数百倍的精度进步，也是实现技术超越的一个珍贵契机。

这项技术的重大意义就在于，它突破了碳管电子学的发展瓶颈，首次在实验室中显示出碳管器件和集成电路较传统技术的性能优势，遥遥领先于传统硅器件，为推进碳基集成电路的实用化发展奠定了基础。

它是制作5纳米碳基芯片的根本技术，工艺技术可以批量生产，其工艺技术世界领先，硅基芯片现在已经从5纳米技术冲击3纳米技术，这带来了很大的技术困难，而且晶体管距离再小就会影响功能，硅基芯片的天花板已经可以看见了，而新兴的碳基芯片的制作成本低，性能又远远超过硅基芯片，更使得硅基芯片专用的光刻机就不再是必需品，光刻机技术上的垄断也会不攻自破，开始实用化就能取得技术优势，到那时就将不再会被少数国家卡脖子了。