华为频频入股第三代半导体 或为日后入局做铺垫

近日，瀚天天成电子科技（厦门）有限公司发生工商变更，华为旗下的哈勃科技投资有限公司成为其新股东。

据公开资料显示，这是继投资全芯微电子、山东天岳、天科合达之后，华为投资的第四家三代半导体的企业，投资这四家意义何在？

据悉，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）是目前前景比较火热的第三代半导体，GaN主要应用在光电器件和微波射频领域，SiC适合于智能电网、新能源汽车、高速轨道交通等大功率应用场景。但当前在碳化硅方面除了技术上与国外先进产商有差距，原材料问题也亟待解决。

此番华为多次投资入股国内相关企业，看似合情合理，但也不难看出华为的野心，大胆猜测是在为日后入局做铺垫，其出于这几点考虑，这步棋是必然要走的；

一是5G+AI高速发展，将会使用碳化硅功率器件逐步替代传统硅器件；

二是碳化硅可以长氮化镓外延做大功率微波射频芯片；

三是新能源汽车行业对碳化硅行业的器件需求量加大，这是一块大蛋糕市场。

任正非董事长曾发表过这样的言论，“华为是不做财务投资的，如果投资一定是战略投资”。故此华为入股第三代半导体企业，如果不是为了自己后续打基础，单纯投一家碳化硅单晶制造企业意义不大，当然除了华为本身战略目标，也不失为促进行业良性发展的一条路。

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12月2日，由中建八局承建的华为国内首个芯片厂房——武汉华为光工厂项目（二期）正式封顶。

项目位于武汉光谷中心，总建筑面积20.89万平方米，建设内容包括FAB生产厂房、CUB动力站、PMD软件工厂及其他配套设施，是华为在中部地区最大的研发基地，重点聚焦光能力中心、智能终端研发中心等前沿科技。项目建成后，将作为华为国内首个芯片厂房投入生产，助力华为构建万物互联的智能世界，真正实现芯片从设计到制造、封装测试以及投向消费市场的完整产业链。