中科院辟谣突破5纳米光刻机是误读，国产光刻机水平为180纳米

又是一盆冷水，还冷透一身。国产光刻机水平在180纳米。

我昨天发过一条信息，是有关之前网络刷屏称，中科院“突破ASML的垄断”、“不用EUV光刻机就能造成5nm芯片”。并做了解析。

今天又看到有辟谣称，国产光刻机水平在180纳米（AI财经根据资深半导体人士得到180纳米，并非中科院说180纳米）。更让之前为了博取你的“好感”，突破5纳米光刻机心一下子凉了半截。（这应该是全国产化的180纳米，只有不是美国技术应该不是这个数值。）

还是回头看下，之前中科院研发的5纳米超高精度激光光刻加工方法的用途是做什么？

激光光刻是用了直写技术，无需掩模版。掩模版的制造需要用激光光刻来完成。

在集成电路光刻制造过程中，掩模版是不可缺少的部分，其相当于芯片的“模板”。EUV光刻机的紫外光照射到掩模版上，再通过掩模版把“模板”上的线路印在涂有光刻胶的晶圆片上。

也就是说，激光光刻机刻出了线路图，并制造了掩模版。工业环境中的光刻机是通过拍照曝光的形式，刻出图型线在晶圆片上。

直白点说，两者的用途完全不一样。此5纳米，非彼5纳米。“激光5纳米”是制造出生产芯片中用到的配件（掩模版），“EUV 5纳米”是完全是用于芯片生产。

目前，高端的掩模版还是需要依赖外国企业，只能制造中低端的掩模版。

因此，中科院5纳米超高精度激光光刻加工方法的突破，可以进一步提高掩模版的制造水平。并用于晶圆厂生产芯片。

值得注意的是，AI财经说，之前国产光刻机之前送给晶圆厂测试都不愿意用，放在一边当废铁。

还是那句话，因为差所以不用，那么就无法在测试或实际生产中得到改进。这样久而久之，就不会有人去研发。

当你买不到时，才重视，已经为时晚矣！这正是产业链融合发展。

前段时间，北斗三号总设计师林宝军，在一个演讲中就提到：龙芯研发10年没人用，龙芯老总想放弃。

没人用，是因为有老总问“龙芯有没有上过天”。答案自然就是没有，结果就是不敢用。最终还是林宝军总设计师拍板——我来用！

最后：

最后奉上一个成语：未雨绸缪……