不要盲目自信！中科院研究员辟谣：国产光刻水平还在180nm！

这一段时间以来，大家对于咱们国产半导体行业的发展都是非常的关心，所以各行各业都是一直在关注着咱们国内技术发展的动态，但是很多的时候有些消息都是被误解了，从而导致了咱们很多的读者出现了错误的认知。

就比如说今年在7月份的时候，中科院就发布了一则名为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的论文，当时就引起了非常多的网友们的关注，有些媒体因为并非是该领域的行家，自然就产生了一点的误解，对此进行夸大的描述，让当时的大家都以为是咱们的国产EUV光刻机技术能够制造出5nm的芯片了。

但是实际上到现在咱们也是应该看出来了，国产的技术实际上并没有他们所宣传的那么强大，咱们距离海外的顶尖光刻机技术还有着非常长的一段距离。但是为了能够避免众多的人们误解，中科院研究员在接受采访的时候，特意做出了相应的解释来进行辟谣。

据悉这篇论文所介绍的新型5nm超高精度的激光光刻加工方法，主要是用于光掩膜的制作上，并非是大家所说的EUV极紫外光光刻技术，虽然是光掩模是集成电路光刻机不可缺少的一部分，但是实际上咱们的国产光刻技术还差的非常远。

据AI财经社消息，半导体资深人士表示，目前我们已经可以实现180nm的制程，但仍然在试用阶段，还有非常多的问题需要攻克。可能大家会觉得为什么国内的半导体行业发展如此缓慢，很多的半导体业内人士都表示主要还是环境的问题，因为在最近两年之前，国产的设备并不被看好，客户们都不愿意配合使用和测试，自然是阻碍了我们国内光刻机产业的发展，不过这两年也算开始改变了心态，速度开始快起来了。

但是具体的情况依旧是不容乐观，有相关人士表示180nm其实就是0.18微米，属于是P3末期、P4初期的工艺，对应的年份可以看到2000年左右的水平，不得不说国产的设备落后20年，差距还是有点大的，当然如果是能够借用一些其他国家的设备，估计这个制程应该还是会缩小不少的，不过想要达到现在的水平，咱们真的还需要追赶不短的时间。