美光：1α纳米制程DRAM可降低成本达40％！

美光(Micron)日前宣布已开始采用DRAM 1α制程生产DDR4和LPDDR4存储器，未来将进一步用1α制程生产所有类型DRAM。1α制程可望显著降低DRAM成本。但美光表示，DRAM的微缩难度变得异常困难。

据Tom’s Hardware报导，美光已将大部分DRAM生产转移到1z节点。该节点能同时提供高位元密度及高效能。而1α DRAM预计将比1z DRAM位元密度提高40%，这将相应地降低每位元成本。

1α DRAM制品功耗能降低15%，而且效能更高。与前代产品相比，40%位元密度改进中约有10%是由DRAM设计效率所驱动，这显示仅靠微影技术的改进不足以降低DRAM制造成本。1α节点沿用6F2位元线设计，美光使用许多创新以采用最新制程来缩小DRAM。

美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran表示，1α位元密度大幅提高是制程技术及设计改进大幅提高阵列效率共同推动。仅阵列效率就能带来约10%的设计改进。为实现这一点，需大幅缩小位元线和字线的间距，即缩小栅格。此外，美光还导入先进工具和新颖技术来改善图案层的对齐方式。

美光产品执行副总裁Scott DeBoer表示，1α节点DRAM在资料中心、智能边缘和消费装置的用例中都实现了巨大改进。先期美光将利用1α节点在桃园和台中的厂房生产8Gb和16Gb DDR4和LPDDR4存储器。但最终该技术将扩大用于制造其它类型的存储器。例如，1α制程技术对架构更复杂的DDR5存储器特别有用。

此外，美光不打算在短期内使用极紫外光(EUV)微影技术来生产存储器，而是打算依靠多重曝光技术。美光的下3个DRAM节点将继续使用深紫外线(DUV)微影技术。就算没有EUV，美光也承诺提高其下一代存储器的效能和功耗，但美光也坦承微缩DRAM的难度越来越高。

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