突破！铠侠开发出170层NAND闪存产品

集微网消息，日本芯片制造商铠侠开发了大约170层的NAND闪存，并与美光和SK海力士共同获得了这项尖端技术。

图源：日经亚洲评论

日经亚洲评论报道称，这种新型NAND存储器是与美国合作伙伴西部数据（Western Digital）联合开发的，其写入数据的速度是铠侠目前顶级产品（112层）的两倍以上。

另外，铠侠还成功地在新型NAND每层上安装了更多的存储单元，这意味着与相同容量的存储器相比，它可以使芯片缩小30％以上。更小的芯片将使智能手机、服务器和其他产品的构造具有更大的灵活性。

据悉，铠侠计划在正在进行的国际固态电路大会上推出其新款NAND，并预计最早在明年开始量产。

随着5G技术的兴起，数据传输规模更大、速度更快，铠侠希望挖掘与数据中心、智能手机相关的需求。但该领域的竞争已经在加剧，美光和SK 海力士已先于铠侠宣布了176层NAND。

为了提高闪存的产量，铠侠和西部数据计划今年春季在日本四日市建设一个1万亿日元（合94.5亿美元）的工厂，他们的目标是在2022年开通第一批生产线。此外，铠侠在日本Kitakami工厂旁边也收购了很多工厂，以便未来能够根据需要扩大产能。

（校对/Value）