苏州硅时代讲述光刻掩膜版线宽对光刻光强的影响

 光刻工艺其实就是一系列图形转移的过程，类似于照片印刷。首先，通过特定方式将版图转移到掩膜版表面。光刻过程中，光线透过掩膜版在硅片表面的光刻胶中形成掩膜图形空间像，光刻胶感光后，经过定影显影的步骤后将掩膜图形转移到光刻胶上，而后经过若干步骤再将掩膜图形从光刻胶表面转移到硅片表面，最终实现版图图形向硅片表面的转移，然而，由于作业物理系统和实际环境的各种限制，这种图形转移过程不可能会是完全精确的，通常存在各种畸变。光刻过程中增加激光线宽使空间成像质量变差，较大的线宽也导致了曝光宽容度的损失。

苏州硅时代电子科技有限公司（Si-Era），集高精度掩模版的设计、研发、制作与服务为一体，公司硬件配置先进，从瑞典、日本、德国等国引进同行业先进的掩模版直写光刻制作系统及检查测量的设备，公司核心技术团队硕士学历及以上占比80%，骨干员工均有5年以上的掩模版生产、研发经验。

公司的主要产品高精密掩模版应用于：集成电路(IC)，IC封装，微机电（MEMS），功率器件与分立器件，平板显示行业（FPD），线路板行业，以及发光二极管(LED)和精细光学元器件行业，产品处于中国大陆掩膜版行业的先进水平。同时公司拥有强大的MEMS设计与加工实力，具备成熟的光刻、刻蚀、镀膜、封装、测试等微纳加工能力，为客户提供全方位的技术服务。