无需EUV，实现5nm，日企攻克光刻难题，给国产芯片超车提供新思路

文/球子 审核/子扬 校正/知秋

在芯片生产过程中，光刻机是造芯绕不开的设备，重要性不言而喻。需要注意的是，芯片制造进入7nm以下节点后，必须依赖极紫外光刻机才能完成对芯片的生产。

从目前光刻机市场来看，最为先进的极紫外光刻机只有荷兰的阿斯麦能够生产，并且，这种光刻机的产能非常有限，现有的极紫外光刻机几乎都流入到头部芯片制造商手中。

日企攻克光刻机难题

如今，全球半导体格局正在发生巨大变化，各国都在不断加强在芯片方面的技术研发，毫无疑问，光刻机无疑是各国重点研究的设备，毕竟荷兰阿斯麦高端光刻机市场的垄断局面太严重，过渡依赖阿斯麦，未来可能会造成太多不确定的因素。

而根据日本媒体报道，日本铠侠公司联合多个合作伙伴开发出了一种新的工艺，无需EUV光刻机，便能实现5nm工艺芯片的生产。

具体来看，日本铠侠公司联合开发出了名为纳米压印微影技术，基于该技术，日本铠侠公司已经掌握了15nm的工艺技术。

根据DNP的说法，纳米压印微影技术的电路精细程度可以达到5nm，这也就意味着，即便不使用阿斯麦的极紫外光刻机，也能实现5nm芯片的量产。

不仅如此，铠侠公司已经开始基于纳米压印微影技术向15nm以下的工艺研发，预计将在2025年开始生产。

需要明白的是，日本铠侠联合研发的纳米压印微影技术以取代EUV光刻机，只是初步尝试，基本技术问题虽然已经解决，但对于一些细节问题，纳米压印微影技术还有待完善，比如细微的尘埃将会影响该技术生产芯片的良品率问题。

在笔者看来，铠侠公司研发的纳米压印微影技术或许在未来能全面替代EUV光刻机，主要原因在于，该技术比EUV光刻机更有优势。

优势主要体现在两方面，分别是耗电量和投资成本。要知道，EUV光刻机可是“耗电巨兽”，其在对晶圆进行多次折射、曝光等过程是，耗电非常巨大，而纳米压印光刻技术只是通过纳米图案印章转移到晶圆上，相对来说，过程并不复杂，耗电量比较低，仅为EUV光刻机耗电量的10%。

而在成本方面，纳米压印光刻技术并不会用到掩膜，可以减少一定的工艺数量，能够有效降低成本的支出。

国产芯片超车提供新思路

目前，我国正处在芯片突破的关键时刻，由于光刻机的研发进度太慢，导致国内的芯片工艺制程很难在短时间内实现突破。

如今，日本铠侠公司联合开发的纳米压印光刻技术，无疑给国产芯片超车提供了新思路。

事实也的确如此，国产芯片换思路超车的确是一个不错方案，因为光刻机的技术壁垒太高，需要全球供应链合作，提供零部件，才能生产出一台完整的光刻机，显然，因为条件限制，从海外国家获得相关零部件供应太难。

反观纳米压印光刻技术，不仅门槛更低，而且在开发该技术的过程中不需要美国技术。如果后续铠侠公司与国内厂商建立合作关系，那么，这将有助于解决国产芯片制程问题。

写到最后

虽然纳米压印光刻技术属于日本企业开发，但从某种程度上来说，对于国产芯片是一则好消息。未来，中国半导体产业一定能实现弯道超车，完成芯片自主的目标。