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三星联合IBM推出新型芯片晶体管

财经网科技12月17日讯,据新浪科技消息,近日,IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计,自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上,从而产生更紧凑的设备,并为智能手机长周期运行等铺平了道路。

据悉,新的垂直传输场效应晶体管(VTFET)设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术,从本质上讲,新设计将垂直堆叠晶体管,允许电流在晶体管堆叠中上下流动,而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。根据IBM的说法,这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管,同时还可以影响它们之间的接触点,以提高电流并节约能源。该公司表示,该设计可能会使性能翻倍,或者减少85%的能源消耗。

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20211217A06EQX00?refer=cp_1026
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