三星新目标：6月前开发出第六代11nm 1c DRAM芯片

近日，韩国媒体《BusinessKorea》报导，全球最大存储器制造商韩国三星设定了目标，预计在今年6月前，完成11纳米的第六代1c DRAM芯片的开发。

报道称，三星已通知半导体研究人员，决定跳过或放弃12纳米的第五代1b DRAM开发，之后将立即加速开发1c DRAM产品。

市场认为三星此举是为了扩大与SK海力士和美光科技等竞争对手的技术差距。

这并非三星第一次决定跳过DRAM开发节点，挑战更高技术。此前三星曾放弃28纳米DRAM量产，转向25纳米DRAM产品开发。

分析人士表示，三星生产11纳米DRAM并不是一件容易的事，必须有比过去更先进的技术才能达成。