国产新秀6英寸SiC衬底项目即将投产！

据太原日报报道，山西天成半导体材料有限公司（以下简称：天成半导体）的6英寸SiC衬底项目即将投产，预计今年内实现6英寸SiC衬底的产业化。

后起之秀，SiC衬底技术能力不容小觑

天成半导体成立于2021年8月，主要从事SiC衬底的研发生产及相关生长设备的制造。成立后短短半年的时间里，天成半导体就攻克了技术难关，实现SiC衬底从4英寸到6英寸的升级，并即将实现6英寸SiC衬底的产业化。

业界皆知，目前国内能够量产6英寸SiC衬底的企业仍屈指可数，从这个角度来看，天成半导体是妥妥的后起之秀，实力已不容小觑。

据悉，经山西省政府2021年11月审批，天成半导体SiC项目一期共投资3000万元。天成半导体仅用了半年时间就完成了场地建设、设备进厂及6英寸SiC晶锭的中试投产。

目前，天成半导体正在筹备建设二期项目，包括厂房扩建、设备扩充以及构建一条全自动线切割打磨抛光清洗加工线。项目完成后，6英寸导电型和半绝缘型SiC衬底的年产量将达到20000片，预计在2022年内实现6英寸SiC衬底产业化。

Source：拍信网

新势力崛起，国产SiC发展启动“快进”模式

放眼全球市场，4英寸SiC衬底已开始退居“二线”，并将于未来3至5年渐渐退出市场，逐步取而代之的是6英寸SiC衬底。目前，Wolfspeed、II-VI、罗姆等海外巨头已普遍实现6英寸SiC衬底的批量生产及销售，天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光股份等国内领先企业当前的研发生产重心也是6英寸，并在加快技术和产能的提升。

根据TrendForce集邦咨询分析，现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，尽管Wolfspeed等国际IDM厂商8英寸SiC衬底的推进速度及效果超乎预期，但6英寸衬底转向8英寸衬底非短时间内能够实现，因此预计6英寸SiC衬底在未来5-6年内都将是市场的主流。

终端需求方面，作为SiC材料现阶段最大的驱动力，电动汽车市场（以主逆变器为主）未来对SiC产品的需求将逐年增长。TrendForce集邦咨询预估，随着电动汽车渗透率的不断提升，以及整车架构逐渐朝向800V等更高压的方向发展，2025年电动汽车市场对6英寸SiC晶圆的需求量将达169万片。

需求日益强劲而供给却稍显吃力，在此背景下，全球市场除了渐趋白热化的技术之争以外，更掀起了扩产潮。国际玩家基于已确立的市场地位，稳步扩充产能，积极“圈地”。而国内玩家虽是后来者，但经过近几年的奋起直追，已然成为该赛道上的一股新势力，代表厂商如天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光股份等正在加速突破技术攻关、扩大生产规模。

国内领头羊天岳先进的半绝缘SiC衬底技术位居国内第一，世界第三。目前，其在上海临港的SiC衬底项目现已封顶，全部达产后将新增6英寸导电型SiC衬底产能约30万片/年，预计今年第三季度实现首批量产。产品方面，天岳先进的6英寸SiC导电型衬底已送样国内外多家知名客户，未来产销量将持续增加。

天科合达作为国内首批成功研制6英寸SiC衬底并掌握相关技术的企业之一，也在积极推进该技术的产业化。该公司近10亿元的第三代半导体SiC衬底产业化基地建设项目拟建设一条400台/套SiC单晶生长炉及配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线，建设完成后将形成12万片6英寸SiC衬底的年产能。

同光股份背靠中科院半导体所，也已在6英寸N型SiC衬底上取得关键工程化技术突破，达到车规级功率半导体芯片的应用标准。该公司在河北投资10亿元建设的第三代半导体项目也已于去年9月正式投产，预计2022年4月实现满产运行，届时可实现年产10万片直径4-6英寸SiC单晶衬底。未来，同光股份还规划建设2000台SiC晶体生长炉生长基地和加工基地，预计SiC单晶衬底年产能将可达60万片。

烁科晶体是电科材料的下属公司，掌握着SiC导电型及半绝缘型衬底关键技术和工艺，其4英寸高纯半绝缘SiC衬底已实现产业化，月产能可达8000片，且在国内市场占有率超过50%，而6英寸高纯半绝缘SiC衬底也已实现小批量供应。

从主要厂商在技术、产品、产能上的进展可以发现，国产6英寸SiC衬底产业的发展已启动了“快进”模式。除了上述厂商，相信未来将会出现更多像天成半导体一样的“黑马”出现，共同推动SiC衬底关键技术的国产化替代，并逐步提升在全球市场的影响力。

结语

国内SiC衬底企业前景可期毋庸置疑，但同样不可否认的是，国内厂商与国际厂商之间仍存在技术和规模之差，例如衬底的良率问题。良率问题直接与成本挂钩，最终影响产品的规模化应用进程，而目前国产SiC衬底整体良率水平尚未达到理想的水平，国产化替代任重道远。但无论如何，凭借着持之以恒的决心及脚踏实地的拼搏，国内企业“弯道超车”的机会仍值得期待。（文：化合物半导体市场 Jenny）