祝贺！赛微电子氮化镓产线主厂房封顶，年内或可完成设备安装调试

半导体产业网讯：从赛微电子获悉，5月18日，潍坊市青州市与北京赛微电子股份有限公司合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房顺利封顶，同时庆祝青州聚能国际半导体制造有限公司成立一周年。

第三代半导体氮化镓（GaN）属于国家鼓励发展的高新技术产业，同时也是国家“十四五”规划纲要中的科技前沿攻关领域，发展前景广阔。聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目计划总投资10亿元，规划最终形成总体产能60,000片/年，一期产能30,000片/年。聚能国际一期产能建设投资5亿元，总规划占地面积40亩，建筑总面积约为1.3万平方米，其中生产净化车间建筑面积约为1万平方米。

2021年4月1日，“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”签约仪式在赛微电子FAB厂区举行。潍坊市委副书记、市长刘运出席，他表示潍坊工业基础良好，产业门类齐全，拥有大批先进制造业企业，当前致力于打造国内高端制造业高地。潍坊将落实好服务企业专员制度，全力支持赛微电子青州项目做大做强。

2021年9月3日，潍坊市人民政府出台了《潍坊市促进集成电路产业高质量发展的若干政策》，提出加快培育集成电路设计企业，推动芯片制造研发扩产，壮大集成电路封测产业规模，支持产业核心和关键技术攻关等，尤其强调支持第三代半导体、半导体材料以及集成电路设计等特色产业园区建设，同时为其产品生产，研发机构以及高端人才提供财政补贴。

2022年5月18日，“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”在各方的共同努力下完成主厂房的封顶建设。在主厂房封顶庆典上，聚能国际首席运营官王永海表示，我们目前已完成基建施工和主体厂房封顶，下一阶段启动建设洁净室机电工程，计划在今年10月开始搬入设备，争取在今年内完成设备的安装与调试。

据了解，赛微电子于2018年7月投资设立聚能创芯，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发；于2018年6月投资设立聚能晶源，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产;作为公司GaN业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界领先团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品。

鉴于GaN(氮化镓)业务市场需求旺盛、自主研制产品性能优异，但却严重受制于外部不可控产能的实际情况，赛微电子与潍坊市青州市政府合作投建此条硅基氮化镓制造产线，有利于赛微电子进一步完善GaN业务的全产业链IDM布局。在现有产业链合作基础上进一步加强产能保障，把握GaN业务发展的关键机遇窗口，逐步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的GaN材料、设计、制造能力，促进第三代半导体业务的长远发展。

北京赛微电子股份有限公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，同时布局并大力发展MEMS与GaN业务，目前已在国内外拥有多座中试平台及量产工厂，服务客户包括国际知名的DNA/RNA测序仪、光刻机、计算机网络及系统、硅光子、红外、可穿戴设备、新型医疗设备、汽车电子等巨头厂商以及细分行业的领先企业，涉及产品范围覆盖了通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等诸多领域，致力于成为一家国际化的知名半导体科技企业集团。

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今年是山西省将2022年确定为“创新生态建设提质年”，并重点实施八大提质行动，启动国家第三代半导体技术创新中心（山西）建设。

恰逢其时，第十七届全国MOCVD学术会议将于8月16-19日在山西太原召开，会议征文同步启动！

本届大会是在国家科学技术部指导下，由中国有色金属学会、中国科学院半导体研究所、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟联合主办，半导体照明联合创新国家重点实验室、北京第三代半导体材料及应用工程技术研究中心、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，山西大学、中北大学、山西师范大学等单位协办支持。

金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。

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