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联发科与美国普渡大学合作成立半导体芯片设计中心

集微网消息,联发科今(29)日宣布与美国普渡大学合作,在印第安纳州西拉法叶成立半导体芯片设计中心,并初步计划朝芯片设计学位课程、下一代计算和通信芯片设计等方向展开先进前瞻技术的研究合作。

据台媒《经济日报》报道,联发科已经与全球及美国顶尖大学合作发展先进研究近20年,而本次与普渡大学的合作又是另一突破。新的半导体设计中心直接设立在校园内,让该校学生有机会看到自己的创新研究融入一个全球IC设计公司的產品设计或解决方案的一环。此次合作也将为印第安纳州吸引高阶半导体设计人才。

联发科资深副总经理陆国宏博士表示,联发科致力创新发展,长期与全球顶尖大学、研究机构及一流学者人才交流合作,借由本次联手我们将接触到顶尖的工程研究人才,培植未来半导体设计领域的新血,强化联发科在尖端科技产业的技术能量。半导体产业正经历巨大的成长,我们需要最优秀的人才持续创新突破,本次合作是联发科扩展在美运营发展的关键策略之一。

(校对/木棉)

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20220629A02MI500?refer=cp_1026
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