东部高科拟于2023年开发8英寸碳化硅功率半导体工艺

集微网消息，据韩媒报道，韩国主要晶圆代工厂商东部高科（DB HiTek）正加快碳化硅功率半导体制造工艺开发，最早有望在明年启动8英寸工艺平台开发。

报道称，东部高科目前正同步推进碳化硅和氮化镓工艺研发，氮化镓的8英寸工艺开发已经铺开，计划在2-3年内完成，而碳化硅方面，该公司目前正开展6英寸工艺研发。

报道还透露，东部高科最早将于明年利用其生产基地闲置场地部署8英寸碳化硅功率半导体制造设备，相关负责人表示，该公司看好碳化硅前景，将通过外包等手段解决相关设备的供应问题。

与传统硅基功率半导体相比，碳化硅由于宽带隙、耐高温等特性，在功率半导体领域被认为有重大潜力，目前在电动汽车主驱等领域已得到规模应用，据市场研究公司 Yole Development 预测，碳化硅功率器件市场将从 2021 年的 10.9 亿美元增长到 2027 年的 62.97 亿美元，复合年增长率为 34%。

（校对/武守哲）