集微网消息,“碳中和”时代下,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体已成为半导体产业竞逐的新战场。今年5月,国内功率半导体龙头企业华润微电子收购第三代半导体厂商芯冠科技(已更名为润新微电子),正式跨入GaN这一新蓝海市场。得益于华润微全产业链布局+润新微氮化镓完善的GaN功率器件制造资源和品质管控体系的强强结合,华润微此前也正式对外发布了GaN功率器件新产品。
华润微总裁李虹
华润微总裁李虹指出,在全球经济的宏观影响下,半导体市场大环境发生变化,消费电子增长放缓,面向未来,碳中和、新基建、新能源和汽车电子等对芯片的需求仍将成为市场增长的驱动力,半导体行业可望持续增长。“华润微电子将继续积极拓宽公司在功率器件、智能传感器、智能控制以及第三代半导体等产品方面的发展路径,并不断增强特色工艺与先进封装方面的优势与布局。未来,我们将继续在‘内生+外延’双轮驱动下充分发挥IDM商业模式优势,交出满意的市场答卷。”
打造GaN功率器件“芯”动能
市场研究机构Yole数据指出,到2026年期间,GaN功率器件市场整体CAGR达70%,整体市场规模超过11亿美元,其中消费类市场占比超过60%。随着我国“双碳”目标确立提速,对第三代半导体需求猛增,产业的关注度日益增高,国产化需求下,促使GaN在更多领域的应用的渗透率将进一步加深。
今年上半年,华润微成功引进润新微电子,此次收购为华润微在氮化镓功率器件方面的业务拓展营造了条件,也为其在GaN的外延和工艺技术研发方面提供极大助力,更为公司第三代半导体产品进军电源管理、太阳能逆变器、新能源汽车及高端电机驱动等科技产业打下坚实的基础。
根据过往公开资料,润新在2019年在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基GaN功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并在全产业链工艺材料能力、外延片/晶圆良率、GaN功率器件关键性能指标和终端应用批量出货等方面等都极具竞争力。与华润微整合后,崭新的润新微电子得益于其产业支撑,将在成熟的规模化产线上,无限释放GaN产能,为全球客户提供更具成本优势、性能更加卓越的GaN器件。“华润微作为国内功率器件IDM龙头企业,拥有非常完善的功率器件制造资源和品质管控体系,双方强强联合形成了从衬底材料、器件设计,到制造和封装工艺的全方位布局,是华润微做大做强第三代半导体业务、打造华润微新竞争力的重要举措。”
华润微于九月重磅发布的硅基GaN新产品,包括600V/900V系列,具有第三代半导体耐高温、高击穿电压、抗辐射的多方优势,主要采用TO封装(TO-220/247)、SMD-表贴封装(D-PAK、QFN)、IC-集成功率模块等封装方式应用于不同市场应用领域,体现了华润微氮化镓产品在外延、晶圆、封装及应用等诸多方面的综合竞争力。
华润微指出,在外延方面,公司具备自有外延技术能力,在硅基氮化镓外延材料耐压性能上拥有独特优势,包括垂直方向击穿电压大于1000V,片内均匀性优异;漏电流小于0.1μA/mm2@600V等等,这些都得益于精准的工艺控制和优异的炉间稳定性。
在晶圆方面,华润微基于硅基衬底的氮化镓晶圆,将逐步拓展至8英寸晶圆,耗尽型(D-MODE)、增强型(E-MODE)器件同步发展。
在封装方面,采用自有封装和外包封装相结合的模式,为客户提供更大的灵活度。
在应用方面,华润微也具备独立系统研发能力,可提供20~240W的消费类应用和500~3000W的工业控制应用的系统解决方案。
总体而言,华润微氮化镓新产品与市场同类产品(共源共栅型(cascode) ,增强型(E-MODE))相比具有明显的价格优势,比传统方案大幅降低了滤波、散热成本,可以提供业界领先的动态电阻和高可靠性,完整的解决方案为客户带来一站式服务体验。
GaN全产业链“芯”蓝图
华润微在九月召开的GaN新产品发布,是华润微在GaN功率器件布局上的最新成果展示,事实上,华润微在GaN领域有着更为深远的谋算。
李虹强调,整合润新后,华润微进一步掌握了GaN核心技术及全产业链布局,当前以6英寸为主,并启动8英寸同步研发,未来将充分利用8英寸产线技术优势,加快产品技术研发和应用匹配,目标实现GaN器件规模化生产。“当前的首要任务是迅速打开市场,提高市场占有率。除了本次推向市场的d-mode cascode 650V/900V产品,更多e-mode 650V、100V产品的研发也已在6/8英寸工艺平台上同步有序进行,预计明年将会有面向快充和激光雷达应用的产品推向市场。”
“不同的方案是基于性能、成本、应用领域等多方面因素综合考量权衡的结果,不论当前各大厂商选择哪条路径,总的来看,GaN正在朝着高集成度、模块化的方向发展,这也是华润微电子未来重点布局的方向。”华润微指出。“IDM是华润微的特色,也是优势,可以更有效地配置内部的产线资源。从需求与价值创造来看,华润微将积极践行第三代半导体战略的整体部署和统筹规划,加速以GaN为代表的第三代半导体产业技术的自主可控和规模化应用。”
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