三星推出12纳米级DRAM 明年开始量产

集微网消息，三星昨日宣布推出了业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。据韩国中央日报报道，为了抢占逐渐扩大的DDR5市场，三星计划从明年开始批量生产，并向数据中心和人工智能等不同客户供货。

三星电子21日表示，利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM，并在最近与半导体设计企业AMD完成了兼容性测试。

这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。

此外，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。

但在全球经济低迷导致存储芯片行情遇冷的背景下，据韩联社报道，三星今年Q3 DRAM销售额环比下滑34.2%。

（校对/李梅）