三星开发业界首款 12 纳米级 DDR5 DRAM，将于2023年量产！

12月23日消息，三星电子与 Advanced Micro Devices (AMD) 合作开发了业界首款 12 纳米级 DDR5 动态随机存取存储器 (DRAM)。 这种新型 DRAM 将于 2023 年开始量产，预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能 (AI) 应用的能力。

三星 12 纳米 DDR5 DRAM 推进数据中心和人工智能应用

16GB DDR5 DRAM 是通过使用创新技术实现的，包括增加单元电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术。 这与先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术相结合，实现了业界最高的芯片密度，使晶圆生产率提高了 20%。

利用最新的 DDR5 标准，三星的 12 纳米级 DRAM 将提供高达每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的速度，使其能够在一秒钟内处理两部 30 吉字节 (GB) 的超高清 (UHD) 电影。 除了令人印象深刻的速度之外，新的 DRAM 还以其能效着称。 它的功耗比以前的 DRAM 低 23%，使其成为寻求更环保运营的全球 IT 公司的理想解决方案。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动 DDR5 DRAM 在市场范围内采用的关键推动力。” “凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”

通过与行业合作伙伴 AMD 的密切合作，12 纳米级 DDR5 DRAM 的开发成为可能。 “我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上优化和验证的 DDR5 内存产品，”AMD 高级副总裁、公司研究员兼客户、计算和图形首席技术官乔·马克里 (Joe Macri) 说。

随着大规模生产将于 2023 年开始，三星计划将其基于这种尖端 12 纳米级工艺技术的 DRAM 产品线扩展到广泛的细分市场。 公司将继续与行业伙伴合作，支持下一代计算的快速扩张。